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InAs晶体基片
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称 |
砷化铟(InAs)晶体 |
技术参数 |
晶体结构: | 立方晶系 | 晶格常数: | a=5.4505 Å | 掺杂类型: | 不掺杂 | 导电类型: | N | 载流子浓度: | 2 ~ 5E16 / cm3 | 迁移率: | >18500cm2/V.S | 生长方法: | CZ |
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产品规格 |
常规晶向: | <100> <111> | 常规尺寸: | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 抛光情况: | 单抛 双抛 | 表面粗糙度: | <15A | 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷 |
人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装 |
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装。
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