非极性氮化镓(GaN)晶体基片
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技术参数

晶体定位面:

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

传导类型:

N型;半绝缘型

电阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位错密度:

<5x106Ω.cm

可用表面积:

>90%

TTV:

≤15um;


产品规格

常规尺寸:10x5x0.5mm;

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装

1000级超净室100级超净袋

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