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硅(Si)晶体基片
- 开运体育app官网（中国）有限公司：
- 化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 技术参数 |
掺杂物质： | 掺B | 掺P | 类型： | P | N | 电阻率Ω.cm： | 10-3 ~ 40 | 10-3 ~ 40 | EPD (cm-2 )： | ≤100 | ≤100 | 氧含量( /cm3 )： | ≤1.8 x1018 | ≤1.8 x1018 | 碳含量( /cm3 )： | ≤5x1016 | ≤5x1016 |
|
| 常规规格 |
晶体方向：<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向； 常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度：Ra<10A 可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！ |
| 标准包装 |
1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 |
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