光学级掺镁铌酸锂 晶片
型号:
MgOLiNbO3
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纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品规格

轴向:

Z cut (+/-0.2°)

直径:

76.2mm(+/-0.3mm)

基准面:

22mm(+/-2mm)

厚度:

500um(+/-5um)/1000um(+/-5um)

晶片背面:

双面抛光

TTV:

≤6um

WARP:

≤20um

浓度:

4.9-6mol%

边缘倒角:

edge rounding

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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